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电科相关成果以题为HighlyefficientandstableInP/ZnSe/ZnSquantumdotlight-emittingdiodes发表在了Nature。为了保持较高的发光效率，院实设计的壳厚度可抑制能量转移和俄歇复合，并且初始表面配体被较短的配体取代，以实现更好的电荷注入。

现配InP基的QD-LEDs较差的性能归因于InPQDs的深间隙态缺陷和氧化缺陷。很少有研究更环保的InP基QD-LEDs，网线由于目前很难合成高质量的材料，网线通过前驱体纯化制备的InP/ZnSe/ZnSQDs已经被证明具有93%的高量子产率，而相应的QD-LED的EQE为12.2％。【成果简介】今日，损分在韩国三星先进技术研究院EunjooJang团队（通讯作者）带领下，损分与韩国延世大学合作，介绍了一种制备均匀InP核和高度对称的核/壳QD的合成方法，其量子产率约为100％

【成果简介】今日，类数在韩国三星先进技术研究院EunjooJang团队（通讯作者）带领下，类数与韩国延世大学合作，介绍了一种制备均匀InP核和高度对称的核/壳QD的合成方法，其量子产率约为100％。【图文导读】图1 不同形貌和壳厚度的InP/ZnSe/ZnS量子点图2InP基的QD-LED的性能图3QD-1、字化诊断QD-2和QD-3R的光学特性图4配体交换QD的QD-LED文献链接：字化诊断HighlyefficientandstableInP/ZnSe/ZnSquantumdotlight-emittingdiodes（Nature，2019，DOI:10.1038/s41586-019-1771-5）本文由木文韬翻译，材料牛整理编辑。

江苏级分这些已准备好的InP基QD-LED将很快在商业显示器中使用。

经过优化的InP/ZnSe/ZnSQD-LED理论最大的外部量子效率为21.4％，电科最大亮度为100,000cd/m2，电科在100cd/m2的条件下使用寿命长达一百万小时，可与最先进的含镉QD-LED相媲美。作为国内智能盒子高端市场第一品牌，院实当贝在300元价格段以上中高端市场排名第一，占据超三成份额。

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